氯硅烷提纯系统

氯硅烷提纯系统可以去除掺杂杂质，例如来自TCS中的硼 – TCS是生成电子级多晶硅过程中进入CVD还原炉的原料气。例如：如果氯硅烷中的硼含量高达1000 ppb，那么在通过CPS进行氯硅烷提纯之后，硅中的硼含量小于10 ppt。根据经验，这些结果表明了该技术的高效率性。

氯硅烷提纯系统由两个吸附反应器组成。这两个吸附反应器交替运行：这意味着一个吸附反应器在运行，另一个则不运行，直到运行中的反应器耗尽。

在环境温度下，氯硅烷从进料罐进入到运行中的吸附反应器。操作压力适应于现有工厂的技术条件。杂质在提纯过程中转化为高沸点化合物，然后在下一个精馏塔中去除，并收集在塔釜中。

在环境温度下，用氮气吹扫不运行的吸附反应器，手动填入新的吸附材料，为下一次运行做好准备。用于调试和维护的氮气吹扫过程全部自动化。特殊的吸附材料的更换需要手动完成。