外延剥离硅片工艺

我们公司正在开发一种生产硅片的新工艺。与通过多晶硅再结晶和铸锭的锯切进行硅片生产的常规的现有技术相比，这种新方法消除了铸锭材料的损失，称为无切痕。硅片直接通过气相的三氯硅烷的化学气相沉积获得。

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剥离硅片工艺与标准工艺的比较

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外延剥离硅片工艺的工艺流程图

SPB目的是以大批量生产规模运行该工艺。下图给出了包括主要现有单元在内的单独的以及新的工艺步骤。

外延-硅片工艺流程

关键优势:

  • 与传统工艺相比，生产成本大大降低，节省大量材料
  • n型单晶硅片的效率高达23％
  • 生产标准正方形的p型或n型单晶硅片
  • 掺杂水平和单晶硅片几何形状的高度灵活性：正方形尺寸及不同厚度并具有较低衰减
  • 太阳能电池制造商无需改变现有生产线（“嵌入式”）

SPB的实施阻碍低：

  • 利用自己的高品质硅的生产工厂，包括尾气回收
  • 用新的高处理量的快速沉积外延还原炉替代标准的西门子还原炉
  • 高质量硅生产的现有生产记录
  • 新工厂允许SPB继续生产用于半导体行业的FZ进料棒和六氯乙硅烷

合作的部分由“欧洲区域发展基金”资助（ERDF / EFRE）