沉积–还原炉/西门子还原炉
覆银沉积还原炉 / 西门子还原炉
- 西门子还原炉是生产工厂的核心部分，其中太阳能级硅是由SiHCl3在热硅芯上沉积而成的。
- 还原炉是根据我们客户的需要进行设计的。
- 用于加热和热力学控制硅棒的电气设施（调功柜）是由经验丰富的公司制造的。
- 在沉积-还原炉内，气态TCS和氢气通过化学气体沉积（CVD）转化成多晶硅。多晶硅在大约1100°C时沉积在热硅芯表面上。硅棒连续生长至直径为150 mm – 180 mm 的硅棒。电能用于加热硅棒。沉积过程大概持续3到5天。
- 沉积-还原炉的物理和机械设计参数已由独立的测试机构（TÜV，德国）进行了安全性检查和测试。
工艺开发 （内部）
- 热力学和流体模拟，优化和改进沉积工艺
- CVD-工艺的目标能耗：< 45 kWh/kg 硅
- 启动过程优化，避免硅芯断裂
- 改进电极-硅芯接触
- 高自动化的CVD-过程控制，减少人力并获得可重复的结果
我们的覆银炉筒的优势
成本优势：
- 由于避免还原炉的辐射热损失，节省 > 50% 的电能
- 更粗的硅棒（可达 180 mm），相应也节省能源
- 更容易和更少次数地清洗炉筒
质量优势：
- 硅棒具有较少的爆米花表面 ➔ 提高纯度
- 较小的热应力 ➔ 在收割前较少的断裂
- 硅中较少的来自不锈钢的杂质
- 较高的反射 ➔ 较好的辐射分布 ➔ 硅棒具有较高的均匀性
我们的覆银CVD –还原炉的优势
能源效率/能源回收
- 覆银炉筒
- 利比希管式换热器
- 高温冷却水夹套
增加产能
- 硅棒长度可达 3200 mm
- 硅棒直径可达 180 mm
- 多晶硅可达 3700 kg/炉
加强多晶硅质量
- 硅棒具有较小的热应力
- 较少的爆米花表面
- 均匀的硅棒直径
- 表面平整、没有裂纹
太阳能级硅的主要生产参数（示例）:
| 硅棒生长速率： | 可达 1.9 mm/h |
| 硅沉积速率： | 30 kg/h |
| 摩尔比H2/TCS： | 3.5 mol/mol |
| 总的硅沉积/炉： | 可达 3700 kg |
| 单能耗： | 45 kWh/kg Si |
| 单能耗（回收利用）： | 35 kWh/kg Si |
此外，还可以对用于我们CVD-还原炉的高温冷却水进行能量回收。这种高温冷却水用作CVD-还原炉的冷却水，其回收的能量可用于例如制成加热蒸汽（例如精馏塔），从而实现进一步地降低能耗（大约35 kWh/kg Si）。